Твердотельный накопитель SSD Samsung, Объем накопителя (ГБ) от 1960 Гб , Ресурс TBW от 1000 Тб , Тип памяти TLC купить недорого в Казани, Цены

SSD накопитель Samsung 870 Evo 2ТБ, 2.5" SATA, SATA III, [MZ-77E2T0B/AM]

Код товара: 142501

Объем: 2 ТБ; интерфейс: SATA III
Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с
Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм
Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM

SSD накопитель Samsung 870 Evo 2ТБ, 2.5" SATA, SATA III, [MZ-77E2T0B/EU]

Код товара: 142500

Объем: 2 ТБ; интерфейс: SATA III
Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с
Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм
Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM

SSD накопитель Samsung 870 EVO 2ТБ, 2.5" SATA, SATA III, [MZ-77E2T0BW]

Код товара: 142495

Объем: 2 ТБ; интерфейс: SATA III
Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с
Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм
Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM

SSD накопитель Samsung 870 EVO 4ТБ, 2.5" SATA, SATA III, [MZ-77E4T0B/EU]

Код товара: 142443

Объем: 4 ТБ; интерфейс: SATA III
Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с
Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.8 мм
Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM

SSD накопитель Samsung 870 Evo 4ТБ, 2.5" SATA, SATA III, [MZ-77E4T0BW]

Код товара: 142440

Объем: 4 ТБ; интерфейс: SATA III
Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с
Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм
Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM

SSD накопитель Samsung 9100 PRO 2ТБ, M.2 2280, PCIe 5.0 x4, NVMe [MZ-VAP2T0BW]

Код товара: 142507

Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4
Скорость: чтения до 14700 МБ/с, записи до 13400 МБ/с
Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм
Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM

SSD накопитель Samsung 9100 PRO 4ТБ, M.2 2280, PCIe 5.0 x4, NVMe [MZ-VAP4T0BW]

Код товара: 142439

Форм-фактор накопителя: M.2 2280
Номинальный объем, ТБ: 4
Тип памяти: V-NAND TLC
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 14800
Максимальная скорость записи, МБ/с: 13400

SSD накопитель Samsung 9100 PRO 8 ТБ, M.2 2280, PCIe 5.0 x4, NVMe [MZ-VAP8T0CW]

Код товара: 142433

Форм-фактор накопителя: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 8000
Тип памяти: V-NAND TLC
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 14800
Максимальная скорость записи, МБ/с: 13400

SSD накопитель Samsung 9100 PRO Black 8ТБ, M.2 2280, PCIe 5.0 x4, NVMe [MZ-VAP8T0BW]

Код товара: 142431

Форм-фактор накопителя: M.2 2280
Номинальный объем, ГБ: 8000
Тип памяти: 3D NAND
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 14800
Максимальная скорость записи, МБ/с: 13400

SSD накопитель Samsung 9100 PRO Black Client 4ТБ, M.2 2280, PCIe 5.0 x4, NVMe [MZ-VAP4T0CW]

Код товара: 143448

Объем: 4 ТБ; интерфейс: PCIe 5.0 x4
Скорость: чтения до 14800 МБ/с, записи до 13400 МБ/с
Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.88 мм
Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM; совместим с PS5

SSD накопитель Samsung 980 PRO Black 2ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V8P2T0CW]

Код товара: 143157

Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4
Скорость: чтения до 7000 МБ/с, записи до 5100 МБ/с
Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.6 мм
Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для геймеров; для ПК; NVMe; TRIM

SSD накопитель Samsung 990 EVO 2ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9E2T0B/AM]

Код товара: 143263

Объем: 2048 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4
Скорость: чтения до 5000 МБ/с, записи до 4200 МБ/с
Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм
Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND

SSD накопитель Samsung 990 Evo Plus 4ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9S4T0BW]

Код товара: 142484

Форм-фактор накопителя: M.2 2280
Номинальный объем, ТБ: 4
Тип памяти: 3D NAND
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 7250
Максимальная скорость записи, МБ/с: 6300

SSD накопитель Samsung 990 PRO 2ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9P2T0B/AM]

Код товара: 142788

Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4
Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с
Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм
Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM

SSD накопитель Samsung 990 PRO 2ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9P2T0CW]

Код товара: 142506

Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4
Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с
Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 8.2 мм
Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND; DRAM буфер
Особенности: для геймеров; для ПК; NVMe; TRIM; совместим с PS5

SSD накопитель Samsung 990 PRO 4ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9P4T0BW]

Код товара: 142449

Форм-фактор накопителя: M.2 2280
Номинальный объем, ТБ: 4
Тип памяти: V-NAND TLC
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 7450
Максимальная скорость записи, МБ/с: 6900

SSD накопитель Samsung 990 PRO 4ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9P4T0CW]

Код товара: 142442

Форм-фактор накопителя: M.2 2280
Номинальный объем, ТБ: 4
Тип памяти: V-NAND TLC
Максимальная скорость чтения, МБ/с: 7450
Максимальная скорость записи, МБ/с: 6900

SSD накопитель Samsung 990 Pro Black 2ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9P2T0BW]

Код товара: 142785

Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4
Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с
Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм
Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для геймеров; для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM; совместим с PS5

Твердотельные накопители SSD Samsung, Объем накопителя (ГБ) от 1960 Гб , Ресурс TBW от 1000 Тб , Тип памяти TLC