Твердотельный накопитель SSD, Тип памяти TLC , Количество бит на ячейку 3 бит MLC (TLC) , DRAM буфер купить недорого в Казани, Цены

SSD накопитель Samsung 870 Evo 1ТБ, 2.5" SATA, SATA III, [MZ-77E1T0B/AM]

Код товара: 142824

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: SATA III
Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с
Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.9 мм
Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM

SSD накопитель Samsung 870 Evo 1ТБ, 2.5" SATA, SATA III, [MZ-77E1T0B/EU]

Код товара: 142823

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: SATA III
Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с
Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм
Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM

SSD накопитель Samsung 870 Evo 1ТБ, 2.5" SATA, SATA III, [MZ-77E1T0BW]

Код товара: 142818

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: SATA III
Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с
Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм
Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM

SSD накопитель Samsung 870 Evo 250 ГБ, 2.5" SATA, SATA III, [MZ-77E250BW]

Код товара: 142877

Объем: 250 ГБ; интерфейс: SATA III
Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с
Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.8 мм
Ресурс: TBW 150 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM

SSD накопитель Samsung 870 EVO 250ГБ, 2.5" SATA, SATA III, [MZ-77E250B/EU]

Код товара: 143259

Объем: 250 ГБ; интерфейс: SATA III
Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с
Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.8 мм
Ресурс: TBW 150 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM

SSD накопитель Samsung 870 Evo 2ТБ, 2.5" SATA, SATA III, [MZ-77E2T0B/AM]

Код товара: 142501

Объем: 2 ТБ; интерфейс: SATA III
Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с
Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм
Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM

SSD накопитель Samsung 870 Evo 2ТБ, 2.5" SATA, SATA III, [MZ-77E2T0B/EU]

Код товара: 142500

Объем: 2 ТБ; интерфейс: SATA III
Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с
Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм
Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM

SSD накопитель Samsung 870 EVO 2ТБ, 2.5" SATA, SATA III, [MZ-77E2T0BW]

Код товара: 142495

Объем: 2 ТБ; интерфейс: SATA III
Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с
Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм
Ресурс: TBW 1200 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM

SSD накопитель Samsung 870 EVO 4ТБ, 2.5" SATA, SATA III, [MZ-77E4T0B/EU]

Код товара: 142443

Объем: 4 ТБ; интерфейс: SATA III
Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с
Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.8 мм
Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM

SSD накопитель Samsung 870 Evo 4ТБ, 2.5" SATA, SATA III, [MZ-77E4T0BW]

Код товара: 142440

Объем: 4 ТБ; интерфейс: SATA III
Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с
Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм
Ресурс: TBW 2400 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM

SSD накопитель Samsung 870 EVO 500ГБ, 2.5" SATA, SATA III, [MZ-77E500B/CN]

Код товара: 142861

Объем: 500 ГБ; интерфейс: SATA III
Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с
Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.8 мм
Ресурс: TBW 300 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM

SSD накопитель Samsung 870 EVO 500ГБ, 2.5" SATA, SATA III, [MZ-77E500B/EU]

Код товара: 142853

Объем: 500 ГБ; интерфейс: SATA III
Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с
Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.8 мм
Ресурс: TBW 300 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM

SSD накопитель Samsung 870 EVO 500ГБ, 2.5" SATA, SATA III, [MZ-77E500B/KR]

Код товара: 142852

Объем: 500 ГБ; интерфейс: SATA III
Скорость: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с
Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 6.8 мм
Ресурс: TBW 300 ТБ

SSD накопитель Samsung 970 EVO 250ГБ, M.2 2280, PCIe 3.0 x4, NVMe [MZ-V7S250B/AM]

Код товара: 143373

Объем: 250 ГБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4
Скорость: чтения до 3500 МБ/с, записи до 2300 МБ/с
Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм
Ресурс: TBW 150 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM

SSD накопитель Samsung 970 EVO Plus 1ТБ, M.2 2280, PCIe 3.0 x4, NVMe [MZ-V7S1T0B/AM]

Код товара: 143247

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4
Скорость: чтения до 3500 МБ/с, записи до 3300 МБ/с
Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм
Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND:
Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe

SSD накопитель Samsung 970 EVO Plus 1ТБ, M.2 2280, PCIe 3.0 x4, NVMe [MZ-V7S1T0BW]

Код товара: 143371

Объем: 1000 ГБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4
Скорость: чтения до 3500 МБ/с, записи до 3300 МБ/с
Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм
Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM

SSD накопитель Samsung 970 EVO Plus 250ГБ, M.2 2280, PCIe 3.0 x4, NVMe [MZ-V7S250BW]

Код товара: 143372

Объем: 250 ГБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4
Скорость: чтения до 3500 МБ/с, записи до 2300 МБ/с
Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.38 мм
Ресурс: TBW 150 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM

SSD накопитель Samsung 990 PRO 1ТБ, M.2 2280, PCIe 4.0 x4, NVMe [MZ-V9P1T0B/AM]

Код товара: 142830

Объем: 1024 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4
Скорость: чтения до 7450 МБ/с, записи до 6900 МБ/с
Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.3 мм
Ресурс: TBW 600 ТБ; время наработки: 1500000 ч
Память: тип NAND: TLC; DRAM буфер
Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe; TRIM

Твердотельные накопители SSD, Тип памяти TLC , Количество бит на ячейку 3 бит MLC (TLC) , DRAM буфер